6月29日，韩国产业通商资源部长金正官宣布，韩国将投入800万亿韩元（约合3.52万亿元人民币）在西南光州、全罗区域建设四座存储芯片晶圆制造厂，打造继首都圈之后全国第二大半导体产业集群。其中，三星电子和SK海力士共同投资81万亿韩元配资平台适合新手排行，在忠清道建设先进封装基地，专门承接AI高带宽存储（HBM）扩产配套需求。
元股证券:ygzq.hk这800万亿韩元主要投向光州前道晶圆制造环节，由三星和SK海力士各承建两座晶圆厂，以缓解韩国首都圈龙仁、平泽厂区电力和工业用水资源饱和的问题。此外，81万亿韩元专项划拨给忠清道，用于建设规模化先进封装集群，匹配HBM堆叠生产需求；另有30万亿韩元专项资金，未来15年将覆盖芯片研发、设计和测试全链条扶持。
该半导体产业投资规划是韩国政府推出的“三大超级国家级项目”之一，旨在推动三星电子、SK海力士等企业布局半导体产业、实体人工智能和人工智能数据中心三大领域的大规模投资。据金正官介绍，政府将为企业投资提速，把新建晶圆厂的落地建设周期大幅提前最长12年：原计划2040年代中后期竣工投产，现调整至2030年代中期完成。
同日，三星正式宣布投资计划，总额达2655万亿韩元（约合11.68万亿元人民币），将在韩国龙仁市和平泽市的半导体产业集群投资2030万亿韩元。三星电子会长李在镕表示，当前产能已不足以满足市场需求，公司正考虑在韩国光州建设新的投资基地，并计划在龟尾推进机器人投资、在仁川布局生物医药投资，同时考虑在蔚山投资电池业务、在釜山投资半导体基板业务。
SK集团会长崔泰源则表示，该公司计划新增1100万亿韩元（约合4.84万亿元人民币）投资，用于新建多处半导体产业集群，其中400万亿韩元将投至韩国西南部地区。到2035年，集团计划建成15吉瓦（GW）AI数据中心容量，将其打造为韩国国家级基础设施和“实体AI时代”的核心底座，总投资规模将达到1000万亿韩元。
两家存储巨头敢于同步砸出如此巨额资本开支，背后支撑是此前创纪录的财务成绩单。SK海力士2026年一季度财报显示，单季营收达52.58万亿韩元，同比增长198%，营业利润37.61万亿韩元，同比增幅超400%，营业利润率突破72%。该公司手握全球55%以上HBM市场份额，英伟达新一代GPU七成HBM订单由其供应，充沛经营性现金流为扩产提供了资金保障。
三星电子一季度同样实现营收和利润大幅上行，权威股票配资，多空杠杆，证券杠杆炒股，权威平台DRAM和NAND基础存储业务维持全球双第一位置，叠加HBM4批量供货头部云厂商，企业自有资金储备充足。值得注意的是，SK海力士已于6月24日向美国SEC提交上市申请，计划在纳斯达克上市，股票代码为“SKHY”。美银证券、花旗集团、高盛和摩根大通为其首次公开募股（IPO）的承销商。有消息称，SK海力士计划以每股166美元的价格发行存托凭证（ADR），筹集约294亿美元。机构分析师认为，美国投资者以这一价格购买股票实际上是捡到了便宜，预计其股价有望上涨20%，并缩小与竞争对手美光科技的估值差距。
而在6月25日，投资银行杰富瑞研究主管Jeff Kim表示，三星电子很可能会效仿SK海力士，在美股市场发行ADR。他指出，此举将对韩国芯片制造商的股价形成有力支撑，目前这些企业的估值普遍滞后于美光科技。Kim认为，当前芯片板块正处于一个关键的转折点，而赴美发行ADR将成为改善韩国半导体企业估值的重要催化剂。
回顾韩国半导体产业发展历史，上一轮巨额逆周期资本投入还要追溯至2008年的全球金融危机。彼时全球芯片需求大幅下滑，美光、尔必达等海外厂商关停产线、削减研发预算，三星逆势投入200亿美元扩建存储工厂，同步启动3D NAND底层技术研发，依靠周期底部扩产抢占市场份额。2015年存储价格再次进入下行周期，SK海力士逆势提升25%研发投入，提前布局初代HBM技术。本次800万亿韩元国家级规划，从投资体量和覆盖产业链完整度来看，超过以往任何一轮周期扩张。
证券配资门户入口金正官预计，未来五年全球存储芯片市场规模将增长至目前的四倍。花旗集团在一份研究报告中表示，韩国政府主导的大规模投资应能推动该国半导体供应链的增长，其中包括芯片设备行业。该行表示，得益于“AI需求前景看好以及绿地产能扩张计划的加速推进”，其对韩国芯片制造设备类股持乐观态度。但也有分析指出，AI专用存储芯片所需产能规模是传统消费级存储的三至四倍，当前全球HBM供给持续紧缺配资平台适合新手排行，三星、SK海力士提前锁定长期客户订单，大规模扩产短期不存在严重过剩风险，但在十年超长周期内仍需警惕行业周期性波动带来的价格下行压力。
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