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美光科技正在加速推进其 3D-NAND 技术路线图，直接跨越一代，以更快地提供更大的芯片容量、更快的速度和更高的能源效率。
该公司目前正在出货其第九代G9闪存，该闪存拥有276层。首款采用该技术的产品 ——2650客户端固态硬盘——已于2024年7月发布。10月21日，美光在其投资者关系网站上举办了一场技术和产品网络研讨会。其总裁兼首席 技术和产品官斯科特·德博尔(Scott DeBoer)在会上探讨了美光的 技术基础、多代产品路线图、客户协同设计以及在DRAM、HBM和NAND领域的长期研发战略。
德博尔在NAND闪存部分表示：“我们的第九代NAND闪存一直处于非常强势的地位，而第十一代NAND闪存将进一步巩固这一领先地位。这是一次意义重大的飞跃。我们对这种存储器进行了优化。事实上，我们特意回溯并优化了这种存储器，使其能够更好地服务于未来的AI产品，这也是我们从第九代升级到第十一代的原因。与以往任何NAND闪存相比，这一工艺节点都带来了显著的改进。”
与 G9 相比，G11 的比特密度提高了一倍，I/O 速度提高了 1.5 倍，传输一个比特所需的能量减少了 25%。
德博尔表示：“这项G11技术是世界上最先进的NAND闪存技术。它将于明年下半年开始量产。此外，它基于晶圆对晶圆键合技术……我们将达到400层以上，明年临近发布日期时，我们会公布更多细节。”
他还讨论了未来可能采用G11 3D NAND技术的NAND产品。其中一项是 速度更快、块尺寸更小的固态硬盘，可实现更高的IOPS。另一项是带宽更高的固态硬盘，其堆叠层通过硅通孔（TSV）连接到基片，类似于高带宽内存（HBM），并同样放置在加速处理器（GPU）旁边。
德博尔表示：“这里主要有两个重点领域。一是高IOPS的AI级NAND闪存，它采用基于SLC的设计，以小模块的形式实现，旨在打造超高速存储产品。这是满足这里提到的几个新兴应用场景的关键所在，也是美光未来几年将这些产品推向市场的主要方向。另一方面，我们还在开发高带宽的AI级NAND闪存，以满足其他新兴应用场景的需求。这些产品最终成本更高，需要与客户合作开发，以确保它们能够达到预期目标，并控制成本，从而提升产品的价值主张。”
高带宽 NAND 不会像 HBM 那样放置在加速器的海岸线上，“因为我们认为这样做没有意义，而是放置在更靠近计算本身的位置，以便利用这种高性能 NAND，并且这种路径是可行的。”
他没有提及闪迪和SK海力士正在推广的非常相似的高带宽闪存（HBF）技术。这两种技术都在基础逻辑芯片或控制器芯片上方堆叠了多层3D-NAND芯片，并通过可能/很可能使用中介层与附近的加速器连接。
配资平台查询入口高IOPS固态硬盘的IOPS值将在2500万到1亿之间，而下一代固态硬盘的容量可达512TB。与高带宽AI级NAND闪存一样，高IOPS NAND闪存也将靠近加速器放置。
DeBoer 还提到，未来美光 AI 级 NAND 闪存将应用于 AI PC 和工作站、汽车、机器人、移动和可穿戴产品。
法国巴黎银行股票研究高级分析师卡尔·阿克曼(Karl Ackerman)告诉订阅用户，美光的HBM路线图涵盖HBM6，vHBM和vEIM将于2028年开始量产：“美光指出，HBM4 36GB 12层高位闪存已于2026年3月进入量产阶段，HBM4E目前正在向主要客户提供样品。该公司计划在2027年实现HBM4E的量产，2028年实现HBM5的量产，2029年实现HBM5E的量产， 2030年实现HBM6的量产。”
元股证券:ygzq.hk此外，美光还发布了垂直堆叠式HBM（vHBM）技术，该技术将DRAM堆栈直接置于处理器上方而非其旁边，从而提供比传统HBM更高的带宽。但缺点是这会阻碍处理器的散热， 因此我们预计vHBM将与传统HBM配合使用。同时，垂直边缘推理存储器（vEIM）将相同的堆叠结构应用于边缘器件，将低功耗LPDDR置于逻辑芯片上方。美光的第一代 vEIM目标是在低于1 pJ/bit的功耗下实现2TB/s的带宽（这种方法与d-Matrix的开创性技术类似）。这两条新产品线均计划于2028年实现量产，并在2030年前推出三代产品。
此外：“美光最初采用自主研发的CMOS工艺制造HBM4基础芯片，而竞争对手则转向代工厂生产的芯片。然而，HBM4E的速度和功耗目标需要更先进的CMOS工艺，因此美光现在也开始转向代工厂生产的芯片。HBM4E也是美光首次在提供符合JEDEC标准的产品的同时，也提供定制HBM产品，我们认为英伟达的NVHBM也包含在内。对于定制产品，美光与客户共同设计基础芯片，将客户的逻辑IP与美光的内存IP集成在一起。”
美光似乎开始养成跳过几代3D NAND闪存的习惯：
第一代 - 32层
第二代 - 64 层
第三代 - 96层
第四代 - 128 层
第五代 - 176 层
第六代芯片——2022年底将达到232层——2024年11月正式命名为G8。
第七代 - 276层 - 外部品牌为G9
第八代——计划采用300多层结构，外部品牌为G10，但于2026年10月放弃。
第 9 代 - 计划 400 多层，外部品牌为 G11，2026 年 10 月。
我们认为这是市场营销策略，是对三星推出 V9、10 和 11 代产品，SK 海力士推出 V9、10 和 11 代产品，以及闪迪/铠侠推出 BiCS 9、10 和 11 代产品的回应。
根据Imec的说法， 晶圆对晶圆 (WoW 或 W2W) 键合 是一种半导体 3D 集成技术，其中两个（或多个）完全加工的硅晶圆对齐并键合在一起，形成完整的晶圆，之后将键合后的堆叠切割成单个多芯片。
（来源：编译自blocksandfiles）
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